什么是芯片夹断技术
关于mosfet源漏电压增大使得反型层夹断的原理解释在电科微电子器件一书的解释是源漏电压的增大使得Vds增大到夹断电压Vdsat时（与Vgate的差达到某一值）产生夹断。
最先进的芯片技术是美国的2nm芯片技术。美国在芯片技术方面一直处于领先地位，目前已经成功研发出2纳米的芯片技术，这是当前全球最先进的芯片技术之一。
从门极向漏极扩展的过度层将沟道的一部分构成堵塞型，ID饱和。将这种状态称为夹断。这意味着过渡层将沟道的一部分阻挡，并不是电流被切断。
为什么在MOS管的沟道被夹断后电流还是增大?
1、场效应管在夹断后，还有饱和电流的原因是：当漏一源之间接上+ VDS时，从源一沟道一漏组成的N型半导体区域内产生了一个横向的电位梯度：源区为零电位，漏区为+ VIB，而沟道的电位则从源端向漏端逐渐升高。
2、夹断后，不是完全夹断的。靠近源极，还是有沟道的，靠近漏极的沟道被夹断的。在夹断沟道内，存在比较强的电场，所以对电子还是有很强的吸引作用的。电子会被拉入漏极。形成电流。
3、沟道夹断了，但是在电场作用下多子能在耗尽层中飘移，场效应管里只有一种载流子（电子或空穴，且能双向流动，这一点与二极管、三极管等双极型晶体管不同），这也是单极型晶体管不同于双极型晶体管的地方。
4、一个是使漏源间电流增大，另一个是使导电沟道沿漏源方向逐渐消失。这两种作用相互抵消，电流既不增大也不减小。
5、当vGS增大到一定值VP 时，两侧的耗尽层将在沟道中央合拢，沟道全部被夹断。由于耗尽层中没有载流子，因此这时漏-源极间的电阻将趋于无穷大，即使加上一定的电压vDS，漏极电流iD也将为零。
6、夹断开始从漏端形成，并随着漏端的电平上升而开始往源端S扩散，形成沟道的夹断，这时电流出现饱和，载流子（电子）只能在夹断区紧贴着栅下一薄层向漏端运动，其运动受到限制，这就是电流饱和的微观机理。
模拟CMOS集成电路设计复习提纲
高效学习拉扎维的《模拟CMOS集成电路设计》并不只是逐章浏览，而是需要有策略和重点。首先，我们从第一章开始，虽然它可能以讲故事的形式导入，但理解作者的意图有助于建立全局视角。
其实我就记住了常总有次聊天时给我讲的心得， 他大意是说做模拟电路设计有三个境界：第一是会手算，意思是说pensile-to-paper， 电路其实应该手算的，仿真只是证明手算的结果。第二是，算后要思考，把电路变成一个直观的东西。
电源问题 （1） CMOS集成电路的工作电压一般在3－18V，但当应用电路中有门电路的模拟应用（如脉冲振荡、线性放大）时，最低电压则不应低于4．5V。
第16章至18章介绍MOS器件的高阶效应及其模型、CMOS制造工艺和混合信号电路的版图与封装。本书是现代模拟集成电路设计的理想教材或参考书。
icer是数字集成电路设计专业。数字集成电路设计学习思路。 模拟CMOS集成电路设计是准备好一碟A4纸，课本里面的公式推导全推一遍以上，把课后习题认认真真做一遍以上，然后就有感觉了。反正熟能生巧。
